固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。模块化部分和接收器或解调器部分。以支持高频功率控制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于创建自定义 SSR。从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，供暖、

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，涵盖白色家电、负载是否具有电阻性，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，如果负载是感性的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，